1.半導體（tǐ）廢氣簡述

半導體製造工藝中需要使用多種特（tè）殊氣體、大量的酸、堿（jiǎn）等化學品（pǐn）以及有機溶劑和揮發性液體，這些氣（qì）體和化學品在半導體製造的不同工藝中使用，產生酸性、堿（jiǎn）性、有機廢氣，這些廢氣如果沒有經過處理直接排放，將造成嚴重的汙（wū）染問題，不僅影響人們的身體健康，惡化大氣環境，造成環境（jìng）汙染的公害事件等，因此，必須對半導體廢氣進行淨（jìng）化處理後，達到（dào）大氣（qì）汙染物標（biāo）準排放。

1.1半導體廢氣汙染物來源

（1）酸性/堿性工藝廢氣

酸性廢（fèi）氣來源於工藝流程中（zhōng）使用的各種酸液和酸性氣體對芯片的腐蝕過程和清洗過程，主要汙染物為氟化物、硫酸霧、氮氧化物、氯化氫；堿性廢氣來（lái）源於刻（kè）蝕工序和工（gōng）藝過程中使用的氨水和氨（ān）氣，主要成分為氨。

（2）有機廢氣

有機廢氣汙染物丙酮、甲醇、二甲苯和異丙（bǐng）醇（chún）來源於使用有機溶劑清洗和光刻過程。半導體製造工藝中使用的有機溶劑量比較（jiào）大，因（yīn）此，對（duì）有機廢氣處理采取單獨（dú）處理設備。

（3）特殊氣體（tǐ）工藝尾氣

特殊氣體工（gōng）藝廢氣是指在氧化、擴散、CVD沉積、離子注入、幹法刻蝕等工序中產生的微量矽烷、磷烷、硼烷、以及CLa、CF4。

2.半導體廢氣處理方法

2.1半導（dǎo）體工藝尾氣（qì）處理

（1）摻雜氣體工藝尾氣處理

在集成（chéng）電路芯片的加工過程中，摻雜氣體工藝尾（wěi）氣主要來自擴散、CVD沉積、離子注入工序，尾氣中含（hán）有微量矽烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等（děng）特殊氣體。

為防止出現工藝尾氣中（zhōng）特殊氣體的排放濃度突然增（zēng）大的情況和其它（tā）意外突（tū）發情況，確保工藝尾氣的安全處理效果，經源頭處（chù）理（lǐ）後的工藝（yì）尾氣（qì）再經有機廢氣處理係統和酸性廢氣處理係統處理後（hòu）排放。

即要求（qiú）擴散（sàn）爐、強束流（liú）離子注入機、低濃度離子注入機、CVD機配套工藝尾氣淨化裝置，工藝尾氣再經有機廢氣處理係統和酸性廢氣處理（lǐ）係統處理後排放。

半導體（tǐ）芯片廠一般配套的工藝尾氣淨化裝置采用燃燒法處理這些廢氣，並且將燃（rán）燒過（guò）的排氣再經有機廢氣處理係統和酸（suān）性廢氣處理係統作進一步處理。

燃燒後的SiO2、PO等（děng）顆粒（lì）物沉澱，燃燒產生的尾氣納入酸性廢氣處理係統，可被堿液（yè）噴淋吸收（shōu）淨化處理。

（2）幹（gàn）法蝕刻工藝尾氣處（chù）理（lǐ）

幹法刻（kè）蝕使用（yòng）氯氣、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大（dà）部分氯氣和全氟化物轉化為氯化氫和氟化物，未反應部分經配套的工藝（yì）尾氣淨化裝置處理（lǐ），再（zài）經有機廢氣（qì）處理係統和（hé）酸性廢氣處理係統處理後排放。一般對氯氣（qì）和全氟化物工藝尾氣采用化學吸附法（fǎ）處理。

2.2 半導體工藝廢氣處理（lǐ）

（1）酸（suān）性、堿性氣體處（chù）理方法

酸性廢氣處理方法是采用（yòng）“堿液噴淋塔”進行處理，以10%的氫氧化（huà）鈉溶液為吸收液。堿性廢氣處理方法是采用（yòng）“酸（suān）液噴淋塔”進行（háng）處理，以10%的硫酸溶液為吸收液。酸性、堿性廢（fèi）氣洗滌淨化法，在電子行業生產中應用相（xiàng）當普遍，具有運（yùn）行穩定，處理效果好，投資少，處理費用低等優點。

（2）有機廢（fèi）氣處理方法

清洗槽、光刻機、去（qù）膠機等（děng）產生的有機廢氣（qì），然而對（duì）於有機廢氣處理方法（fǎ）有很多種（zhǒng），常見主要有活性炭吸（xī）附法、燃燒法、UV光解淨化法等，接下來，天浩洋環保小編詳細介紹半（bàn）導體有機廢氣處理方法。

① 活性炭吸附法

活性炭吸附（fù）法主要原理就是利用多孔（kǒng）固體吸附劑（活性碳、矽膠、分子篩等）來處理有機廢氣，這樣就能夠通過（guò）化學鍵力或者是分（fèn）子引力（lì）充分吸附有害成分，並且將其吸附在吸附劑的表麵，從而達到淨化有機（jī）廢氣的（de）目的。吸附法目前主要應用於大風量、低濃度（≤800mg/m3）、無（wú）顆粒物、無粘性物、常溫的低濃度有機廢氣淨化處理。

活性（xìng）炭淨化率高（活性炭吸附可達到95%以上），實（shí）用遍及，操縱簡單，投資低。在吸附飽和以後需要更換新的活性炭，更換活性炭需要費用，替換下來的飽和以後的活性炭也是需要找專業人員進行危廢處理，運行費用高。

② 燃燒（shāo）法

燃燒法隻在（zài）揮發性有機物在高溫及空氣充足的條件下（xià）進行（háng）完全（quán）燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用於各類有機廢（fèi）氣，可以分為直接燃燒、熱力（lì）燃燒和催化燃燒。

排放濃度大於5000mg/m³ 的高濃度廢氣一般采用直接燃燒法，該方法將VOCs廢氣作為燃料進行燃燒，燃燒溫度一般控製在1100℃，處理效（xiào）率高，可以達到95％一99％。

熱力燃燒法適合於處理濃度在1000—5000 mg/m³ 的廢氣，采用熱力燃燒法，廢（fèi）氣中VOCs濃度較低，需（xū）要借助其他燃料或助燃氣體，熱力燃燒所需的溫度較直接燃燒低，大約為540—820℃。燃燒法處理VOCs廢氣處理（lǐ）效率高，但VOCs廢氣若（ruò）含有S、N等元（yuán）素，燃燒後（hòu）產（chǎn）生的廢氣直接外排會導致二次汙染。

通（tōng）過熱力燃燒或者催化燃燒法處理有機廢氣，其淨（jìng）化率是（shì）比較（jiào）高的，但（dàn）是其投資運營成本極高。因廢氣排（pái）放的點多且分（fèn）散，很難實現集中收集。燃燒裝置需要多套且需要很大的（de）占地麵積。熱（rè）力燃燒比較適合24小時連（lián）續不斷運行（háng）且濃度較高而穩定的廢氣工（gōng）況，不適合間斷性的生（shēng）產產線工況。催化燃燒的投資和運營費（fèi）用相對熱力燃燒較（jiào）低，但淨化效率也相對（duì）較低一（yī）些；但貴金（jīn）屬催化劑容易因（yīn）為廢氣中的雜質（如硫化（huà）物）等造成中毒（dú）失效（xiào），而更換催化劑的費用很高；同時對廢氣進氣條件的（de）控製非常嚴格，否則會造成催化燃燒室堵塞而引起（qǐ）安全事故。

③ UV光解淨（jìng）化法

UV光解淨化法利用高能UV紫外線光束分（fèn）解（jiě）空氣中的氧分子產生遊離氧（即活（huó）性氧），因遊離氧所攜帶正負電（diàn）子不平衡所以（yǐ）需與氧分子結合，進而產生臭氧（yǎng），臭氧具（jù）有很強的氧化性，通過臭氧對有機廢氣、惡臭氣（qì）體進行協同光解氧（yǎng）化作用，使（shǐ）有機廢氣、惡臭氣體物質降（jiàng）解轉化成低分子化合物、CO2和H2O。

UV光解淨化法具有高效處理效（xiào）率，可達到95%以上（shàng）；適應性強，可適應中低濃度，大氣量，不同有機廢氣以及惡臭氣體物（wù）質的淨化處理；產品性（xìng）能穩定，運行穩定可靠，每天可24小時連（lián）續工作；運行成本低，設備耗能低，無需專人管理與維護，隻需作定期檢查。UV光解（jiě）法因（yīn）采用光解原理，模塊（kuài）采取隔爆處（chù）理，消（xiāo）除了安全（quán）隱患，防火、防爆、防腐蝕性能高，設備性能安全穩定，特別適用於（yú）化工、製藥等防爆要求高的行業。

以上關於半（bàn）導體廢氣處理方法介（jiè）紹，希望（wàng）可以幫到您，其實對於半（bàn）導體廢（fèi）氣處理，一般是需要根據廢（fèi）氣的濃度、產生量、廢氣成分、如何收集等方麵進行設計。如果您有半導體廢（fèi）氣需要淨化處理，可以隨時撥打400 808 2272電話，谘詢天浩洋環（huán）保,為您提供半導體廢氣處理方案及設備。